[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 202220724641.1 | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN218333759U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及半导体器件,包括通过激光直接成型工艺形成的多个导电过孔和迹线的半导体器件封装的实施例,该激光直接成型工艺至少包括激光步骤和电镀步骤。多个导电过孔中的第一导电过孔延伸到密封剂中到达被包封在密封剂内的裸片的接触焊盘,并且多个导电过孔中的第二导电过孔延伸到密封剂中到达密封剂中引线的端部部分。多个导电过孔中的第二导电过孔可以将引线耦合到裸片的接触焊盘。在一些实施例中,半导体器件封装的引线可以向外延伸并远离密封剂。这些实施例的电气连接的组合为封装提供了板级可靠性和能够承受板载热循环引起的应力和应变的稳健性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
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