[实用新型]半导体器件

说明书

本公开涉及半导体器件，包括通过激光直接成型工艺形成的多个导电过孔和迹线的半导体器件封装的实施例，该激光直接成型工艺至少包括激光步骤和电镀步骤。多个导电过孔中的第一导电过孔延伸到密封剂中到达被包封在密封剂内的裸片的接触焊盘，并且多个导电过孔中的第二导电过孔延伸到密封剂中到达密封剂中引线的端部部分。多个导电过孔中的第二导电过孔可以将引线耦合到裸片的接触焊盘。在一些实施例中，半导体器件封装的引线可以向外延伸并远离密封剂。这些实施例的电气连接的组合为封装提供了板级可靠性和能够承受板载热循环引起的应力和应变的稳健性。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，该半导体器件的封装具有被耦合到裸片的至少一个导电过孔以及将裸片耦合到引线的至少一个电连接。

背景技术

通常，诸如芯片级封装或晶圆级芯片级封装(WLCSP)之类的半导体器件封装包含包封在模塑料、聚合物、密封剂等中的半导体器件、半导体裸片或集成电路裸片。半导体器件可以是被配置为检测任何数目的数量或质量的传感器，或可以是用于控制其他各种电子部件的控制器。例如，这种半导体器件封装可以检测光、温度、声音、压力、应力、应变或任何其他数量或质量。其他半导体器件可以是控制器、微处理器或存储器。

传统的WLCSP可以形成为包括导电焊盘，焊料材料被直接耦合到该导电焊盘以安装到电子部件。通常，焊料材料采用焊料球的形式，焊料球的形状和尺寸基本相同，使得当被安装或耦合到印刷电路板(PCB)、电子设备的表面或其他一些电子部件时，WLCSP可以是水平的。例如，再分布层可以形成在裸片的表面上并且多个导电焊盘形成在再分布层中并且被暴露使得焊料球可以被耦合到导电焊盘。

当传统WLCSP安装到PCB上时，传统WLCSP的裸片与安装它的 PCB之间存在明显的热失配。通常，裸片的热膨胀系数(CTE)小于PCB 的CTE。CTE的这种差异导致裸片和PCB当暴露于温度改变(例如，从冷到热或从热到冷)时膨胀和收缩的量不同。焊料球暴露于这些膨胀和收缩的差异，并且可能导致焊料球失效，诸如开裂、剪切、断裂、分层或焊料球内发生的一些其他类似故障。这些故障可能导致传统WLCSP 失灵，从而最终可能导致存在或利用传统WLCSP的电子设备的功能故障。

当焊料球形成在传统WLCSP的导电焊盘上以安装到PCB时，导电焊盘必须隔开较大距离以避免彼此相邻的焊料球之间的串扰。例如，如果在利用焊料球将WLCSP安装到PCB的回流工艺期间，焊料球可能会彼此物理接触，或可能彼此靠得足够近以致产生电弧，从而使得相邻焊料球之间的串扰导致WLCSP无法正常或按预期运转。这种不适当的功能可能会显着降低整个电子设备的可用性，该电子设备可能是电话、智能手机、平板电脑、电视、计算机、膝上型电脑、相机、或其中半导体封装存在于其内的其他一些电子设备。

这种焊料球间距和热失配限制了WLCSP中可能包括的输入/输出(I/O)触点的数目，从而限制了WLCSP执行每个日益复杂的功能的能力。

实用新型内容

当传统WLCSP安装到PCB上时，传统WLCSP的裸片与安装它的 PCB之间存在明显的热失配。这些故障可能导致传统WLCSP失灵，从而最终可能导致存在或利用传统WLCSP的电子设备的功能故障。在利用焊料球将WLCSP安装到PCB的回流工艺期间，焊料球可能会彼此物理接触，或可能彼此靠得足够近以致产生电弧，从而使得相邻焊料球之间的串扰导致WLCSP无法正常或按预期运转。

在本公开的第一方面，提出了一种半导体器件，该半导体器件包括：裸片焊盘；裸片，位于裸片焊盘上并且被耦合到裸片焊盘，裸片包括第一导电焊盘和第二导电焊盘；树脂，位于裸片和裸片焊盘周围，树脂包括侧壁和横向于侧壁的第一表面；引线，延伸到树脂的侧壁中，引线具有第一端，第一端位于裸片与树脂的侧壁之间的树脂中；导电迹线，位于树脂的第一表面处；第一导电过孔，延伸到树脂的第一表面中到达第一导电焊盘；第二导电过孔，从第二导电焊盘延伸穿过树脂到达导电迹线；以及第三导电过孔，从引线延伸穿过树脂到达导电迹线。

在一些实施例中，导电过孔还包括位于树脂的第一表面处的暴露表面。