[发明专利]降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件在审
| 申请号： | 202211737046.2 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116247079A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘辉;朱阳军;吴凯;张广银;徐真逸;杨飞;任雨 | 申请（专利权）人： | 江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/30 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江宁开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种方法及器件，尤其是一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件。按照本发明提供的技术方案，一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法，所述降低深槽侧壁粗糙度的方法包括：提供具有碳化硅深槽的碳化硅衬底；在上述碳化硅深槽内沉积覆盖所述碳化硅深槽侧壁的薄膜层，以利用所沉积的薄膜层平坦化碳化硅深槽的侧壁，其中，所述薄膜层的材料与碳化硅衬底相一致；对上述的薄膜层进行湿法牺牲氧化；基于湿法腐蚀工艺去除上述湿法牺牲氧化产生的氧化层。本发明能有效降低碳化硅深槽侧壁的粗糙度，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 碳化硅 侧壁 粗糙 方法 器件 | ||
【主权项】：
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