[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211680292.9 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN116130480A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 罗烨辉;王亚飞;郑昌伟;王志成;刘启军;刘小东;李诚瞻 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088;H01L29/417;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 郑哲琦;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管通过在JFET区集成肖特基势垒二极管，改善了碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，降低了模块封装成本；槽式结构的肖特基势垒二极管，有效的保护对金属氧化物半导体场效应晶体管的JFET区电场及肖特基势垒二极管的肖特基接触电场进行保护，提升金属氧化物半导体场效应晶体管的阻断能力；槽型式的源极结构，在三维空间上增加了源孔的接触面积，降低了源接触电阻对器件整体电阻的影响，利于更大电流容量的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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