[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件在审
| 申请号： | 202211615689.X | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115832058A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;潘梦渝;王飞 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 高艳红 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件。器件包括沟槽区底部的重掺杂第二导电类型异质材料区以及沟槽区与第一导电类型半导体漂移区之间的重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层和轻掺杂第一导电类型半导体区；重掺杂第二导电类型异质材料区位于沟槽区底部并与重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层和轻掺杂第一导电类型半导体区接触；轻掺杂第一导电类型半导体区的侧壁与重掺杂第二导电类型半导体屏蔽层接触。采用上述方案，能够实现器件的低压导通，降低导通损耗，提升击穿电压，减小反向漏电；另外也可优化雪崩路径，提高器件的雪崩耐量，提升器件可靠性；同时还提升了器件的第三象限导通性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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