[发明专利]晶圆的外延生长方法及设备在审
| 申请号： | 202211562143.2 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115747962A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 薛帆;王力;刘宝阳;王雄 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的外延生长方法及设备，属于半导体制造技术领域。晶圆的外延生长方法，包括：将氢气注入晶圆的外延生长设备内的反应腔室中并吹扫预定时间；将抛光后的晶圆放置在所述反应腔室内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面进行刻蚀；在第二温度下向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面上生长外延层。本发明的技术方案能够改善晶圆外延层的表面缺陷，进而消除因外延晶圆表面缺陷而产生的颗粒问题。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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