[发明专利]晶圆的外延生长方法及设备在审
| 申请号： | 202211562143.2 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115747962A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 薛帆;王力;刘宝阳;王雄 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 方法 设备 | ||
1.一种晶圆的外延生长方法，其特征在于，包括：
将氢气注入晶圆的外延生长设备内的反应腔室中并吹扫预定时间；
将抛光后的晶圆放置在所述反应腔室内部的基座上；
在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面进行刻蚀；
在第二温度下向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面上生长外延层。
2.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，将抛光后的晶圆放置在所述反应腔室内部的基座上之前，所述方法还包括：
对所述晶圆进行抛光，并对抛光后的晶圆进行清洗。
3.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，将抛光后的晶圆放置在所述反应腔室内部的基座上之后，在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体之前，所述方法还包括：
将所述反应腔室加热至预定的第三温度，然后稳定所述反应腔室，所述第三温度高于所述第一温度。
4.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，所述第一温度为1120℃～1180℃。
5.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，所述第二温度为1075℃-1175℃。
6.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，向所述反应腔室内通入刻蚀气体的时长为10s～200s，向所述反应腔室内通入刻蚀气体的流量为500sccm～2000sccm。
7.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，停止向所述反应腔室内通入刻蚀气体之后，向所述反应腔室内通入硅源气体之前，所述方法还包括：
对所述反应腔室进行清洁。
8.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，对所述晶圆进行刻蚀的深度为1.5-10um。
9.一种晶圆的外延生长设备，其特征在于，包括：
反应腔室，所述反应腔室内部设置有用以承载抛光后的晶圆的基座；
刻蚀气体供应装置，用以向所述反应腔室内输送刻蚀气体；
硅源气体供应装置，用以向所述反应腔室内输送硅源气体；
控制装置，用于控制所述刻蚀气体供应装置在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面进行刻蚀；控制所述硅源气体供应装置在第二温度下向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面上生长外延层。
10.根据权利要求9所述的晶圆的外延生长设备，其特征在于，
所述控制装置具体用于控制所述刻蚀气体供应装置向所述反应腔室内通入刻蚀气体的时长为10s～200s，向所述反应腔室内通入刻蚀气体的流量为500sccm～2000sccm。
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