[发明专利]半导体的工艺在审
| 申请号： | 202211502635.2 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115910775A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李新国 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体的工艺，包括：形成金属层于衬底上；形成氧化层于金属层上；形成具有第一开口的光阻层于氧化层上；部分刻蚀氧化层，使第一开口贯穿氧化层，以暴露金属层，其中刻蚀后氧化层包括第一氧化区及第二氧化区，第一开口位于第一氧化区和第二氧化区之间；对光阻层执行调整工序，以暴露第一氧化区或第二氧化区，其中经调整工序后光阻层部分覆盖金属层；以及部分刻蚀金属层，使金属层具有第二开口，其中第二开口的宽度小于第一开口的宽度。透过氧化层和具有开口的光阻层的配置，可成功地刻蚀金属层以在金属层形成开口，以开口的宽度作为金属线宽，而无须碳层来辅助刻蚀金属层，从而降低金属线宽刻蚀的工艺难度及减少碳带来的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州富芯半导体有限公司，未经杭州富芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211502635.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
