[发明专利]半导体的工艺在审

专利信息
申请号: 202211502635.2 申请日: 2022-11-28
公开(公告)号: CN115910775A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 李新国 申请(专利权)人: 杭州富芯半导体有限公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 丁俊萍
地址: 310000 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺
【权利要求书】:

1.一种半导体的工艺,其特征在于,包括:

形成金属层(20)于衬底(10)上;

形成氧化层(30)于所述金属层(20)上;

形成具有第一开口(H1)的光阻层(40)于所述氧化层(30)上;

部分刻蚀所述氧化层(30),使所述第一开口(H1)贯穿所述氧化层(30),以暴露所述金属层(20),其中刻蚀后所述氧化层(30)包括第一氧化区(31)及第二氧化区(32),所述第一开口(H1)位于所述第一氧化区(31)和所述第二氧化区(32)之间;

对所述光阻层(40)执行调整工序,以暴露所述第一氧化区(31)或所述第二氧化区(32),其中经所述调整工序后所述光阻层(40)部分覆盖所述金属层(20);以及

部分刻蚀所述金属层(20),使所述金属层(20)具有第二开口(H2),其中所述第二开口(H2)的宽度小于所述第一开口(H1)的宽度。

2.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述第二开口(H2)的宽度根据所述光阻层(40)覆盖所述金属层(20)的面积而定义。

3.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述光阻层(40)包括第一光阻层(41)及第二光阻层(42),所述第一开口(H1)位于所述第一光阻层(41)和所述第二光阻层(42)之间,所述第一光阻层(41)位于所述第一氧化区(31)上,所述第二光阻层(42)位于所述第二氧化区(32)上,对所述光阻层(40)执行所述调整工序包括:对所述光阻层(40)执行沉积程序,并部分刻蚀经过所述沉积程序后所述光阻层(40),使经过刻蚀后所述第一光阻层(41)部分填充所述第一氧化区(31)及所述第二氧化区(32)之间的所述第一开口(H1)。

4.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第一光阻层(41)投影于所述衬底(10)的宽度大于所述第一氧化区(31)投影于所述衬底(10)的宽度。

5.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第一光阻层(41)密封所述第一氧化区(31)的侧边。

6.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第二光阻层(42)投影于所述衬底(10)的宽度小于所述第二氧化区(32)投影于所述衬底(10)的宽度。

7.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述光阻层(40)包括第一光阻层(41)及第二光阻层(42),所述第一开口(H1)位于所述第一光阻层(41)和所述第二光阻层(42)之间,所述第一光阻层(41)位于所述第一氧化区(31)上,所述第二光阻层(42)位于所述第二氧化区(32)上,对所述光阻层(40)执行所述调整工序包括:形成第三光阻层(50)以部分填充所述第一氧化区(31)及所述第二氧化区(32)之间的所述第一开口(H1),并部份刻蚀所述第一光阻层(41)或所述第二光阻层(42)。

8.根据权利要求7所述之半导体的工艺,其中所述第三光阻层(50)靠近所述第一光阻层(41)或所述第二光阻层(42)。

9.根据权利要求7所述之半导体的工艺,当所述第三光阻层(50)靠近所述第一光阻层(41)时,部份刻蚀所述第二光阻层(42);当所述第三光阻层(50)靠近所述第二光阻层(42)时,部份刻蚀所述第一光阻层(41)。

10.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述第二开口(H2)的宽度范围30nm~60nm。

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