[发明专利]半导体的工艺在审
申请号: | 202211502635.2 | 申请日: | 2022-11-28 |
公开(公告)号: | CN115910775A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 李新国 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 丁俊萍 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺 | ||
1.一种半导体的工艺,其特征在于,包括:
形成金属层(20)于衬底(10)上;
形成氧化层(30)于所述金属层(20)上;
形成具有第一开口(H1)的光阻层(40)于所述氧化层(30)上;
部分刻蚀所述氧化层(30),使所述第一开口(H1)贯穿所述氧化层(30),以暴露所述金属层(20),其中刻蚀后所述氧化层(30)包括第一氧化区(31)及第二氧化区(32),所述第一开口(H1)位于所述第一氧化区(31)和所述第二氧化区(32)之间;
对所述光阻层(40)执行调整工序,以暴露所述第一氧化区(31)或所述第二氧化区(32),其中经所述调整工序后所述光阻层(40)部分覆盖所述金属层(20);以及
部分刻蚀所述金属层(20),使所述金属层(20)具有第二开口(H2),其中所述第二开口(H2)的宽度小于所述第一开口(H1)的宽度。
2.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述第二开口(H2)的宽度根据所述光阻层(40)覆盖所述金属层(20)的面积而定义。
3.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述光阻层(40)包括第一光阻层(41)及第二光阻层(42),所述第一开口(H1)位于所述第一光阻层(41)和所述第二光阻层(42)之间,所述第一光阻层(41)位于所述第一氧化区(31)上,所述第二光阻层(42)位于所述第二氧化区(32)上,对所述光阻层(40)执行所述调整工序包括:对所述光阻层(40)执行沉积程序,并部分刻蚀经过所述沉积程序后所述光阻层(40),使经过刻蚀后所述第一光阻层(41)部分填充所述第一氧化区(31)及所述第二氧化区(32)之间的所述第一开口(H1)。
4.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第一光阻层(41)投影于所述衬底(10)的宽度大于所述第一氧化区(31)投影于所述衬底(10)的宽度。
5.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第一光阻层(41)密封所述第一氧化区(31)的侧边。
6.根据权利要求3所述之半导体的工艺,其中经过所述调整工序后所述第二光阻层(42)投影于所述衬底(10)的宽度小于所述第二氧化区(32)投影于所述衬底(10)的宽度。
7.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述光阻层(40)包括第一光阻层(41)及第二光阻层(42),所述第一开口(H1)位于所述第一光阻层(41)和所述第二光阻层(42)之间,所述第一光阻层(41)位于所述第一氧化区(31)上,所述第二光阻层(42)位于所述第二氧化区(32)上,对所述光阻层(40)执行所述调整工序包括:形成第三光阻层(50)以部分填充所述第一氧化区(31)及所述第二氧化区(32)之间的所述第一开口(H1),并部份刻蚀所述第一光阻层(41)或所述第二光阻层(42)。
8.根据权利要求7所述之半导体的工艺,其中所述第三光阻层(50)靠近所述第一光阻层(41)或所述第二光阻层(42)。
9.根据权利要求7所述之半导体的工艺,当所述第三光阻层(50)靠近所述第一光阻层(41)时,部份刻蚀所述第二光阻层(42);当所述第三光阻层(50)靠近所述第二光阻层(42)时,部份刻蚀所述第一光阻层(41)。
10.根据权利要求1所述之半导体的工艺,其中所述第二开口(H2)的宽度范围30nm~60nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州富芯半导体有限公司,未经杭州富芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211502635.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造