[发明专利]半导体的工艺

说明书

本申请提供一种半导体的工艺，包括：形成金属层于衬底上；形成氧化层于金属层上；形成具有第一开口的光阻层于氧化层上；部分刻蚀氧化层，使第一开口贯穿氧化层，以暴露金属层，其中刻蚀后氧化层包括第一氧化区及第二氧化区，第一开口位于第一氧化区和第二氧化区之间；对光阻层执行调整工序，以暴露第一氧化区或第二氧化区，其中经调整工序后光阻层部分覆盖金属层；以及部分刻蚀金属层，使金属层具有第二开口，其中第二开口的宽度小于第一开口的宽度。透过氧化层和具有开口的光阻层的配置，可成功地刻蚀金属层以在金属层形成开口，以开口的宽度作为金属线宽，而无须碳层来辅助刻蚀金属层，从而降低金属线宽刻蚀的工艺难度及减少碳带来的污染。

技术领域

本申请关于半导体技术领域，特别是一种半导体的工艺。

背景技术

随着电子装置小型化及功能需求增加，电晶体的尺寸需相应地缩小，电晶体金属线宽因而缩小。在现有半导体工艺中，常见的是通过碳层进行金属线宽的控制,也就是在金属层上形成碳层，进行部份刻蚀，借此来控制金属线宽。然而，碳层在半导体制造过程属于特殊的工艺，需要额外的沉积设备来形成碳层。况且，碳层的刻蚀需特定的刻蚀液，因此，无论是形成碳层和刻蚀碳层皆，对产线人员来说都是十分麻烦且困难的工艺。

发明内容

根据前述，本申请提供一种半导体的工艺，解决需碳层来控制金属线宽的问题，而可降低金属线宽刻蚀的工艺难度。

基于上述目的，本申请提供一种半导体的工艺，包括：形成金属层于衬底上；形成氧化层于金属层上；形成具有第一开口的光阻层于氧化层上；部分刻蚀氧化层，使第一开口贯穿氧化层，以暴露金属层，其中刻蚀后氧化层包括第一氧化区及第二氧化区，第一开口位于第一氧化区和第二氧化区之间；对光阻层执行调整工序，以暴露第一氧化区或第二氧化区，其中经调整工序后光阻层部分覆盖金属层；以及部分刻蚀金属层，使金属层具有第二开口，其中第二开口的宽度小于第一开口的宽度。

在本申请的实施例中，第二开口的宽度根据光阻层覆盖金属层的面积而定义。

在本申请的实施例中，光阻层包括第一光阻层及第二光阻层，第一开口位于第一光阻层和第二光阻层之间，第一光阻层位于第一氧化区上，第二光阻层位于第二氧化区上，对光阻层执行调整工序包括：对光阻层执行沉积程序，并部分刻蚀经过沉积程序后光阻层，使经过刻蚀后第一光阻层部分填充第一氧化区及第二氧化区之间的第一开口。

在本申请的实施例中，经过调整工序后第一光阻层投影于衬底的宽度大于第一氧化区投影于衬底的宽度。

在本申请的实施例中，经过调整工序后第一光阻层密封第一氧化区的侧边。

在本申请的实施例中，经过调整工序后第二光阻层投影于衬底的宽度小于第二氧化区投影于衬底的宽度。

在本申请的实施例中，光阻层包括第一光阻层及第二光阻层，第一开口位于第一光阻层和第二光阻层之间，第一光阻层位于第一氧化区上，第二光阻层位于第二氧化区上，对光阻层执行调整工序包括：形成第三光阻层以部分填充第一氧化区及第二氧化区之间的第一开口，并部份刻蚀第一光阻层或所述第二光阻层。

在本申请的实施例中，第三光阻层靠近第一光阻层或第二光阻层。

在本申请的实施例中，当第三光阻层靠近第一光阻层时，部份刻蚀第二光阻层；当第三光阻层靠近所述第二光阻层时，部份刻蚀第一光阻层。

在本申请的实施例中，第二开口的宽度范围30nm～60nm。

综上所述，本申请的半导体的工艺，透过光阻层和氧化层的配置，可成功地刻蚀金属层以在金属层形成开口，以开口的宽度作为金属线宽，而无须碳层来辅助刻蚀金属层，从而降低金属线宽刻蚀的工艺难度及减少碳带来的污染。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本申请较佳的实施例并配合附图对本申请进行详细说明。