[发明专利]半导体基底、半导体器件以及制作方法在审
| 申请号： | 202211425086.3 | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN116190203A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;杨冰 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430073 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体基底、半导体器件以及制作方法，所述半导体基底的制作方法包括：提供一SOI基底，SOI基底包括：第一绝缘层；位于第一绝缘层上的至少一个单晶硅区块；第二绝缘层，覆盖单晶硅区块以及单晶硅区块四周的第一绝缘层；在平行SOI基底的方向上，单晶硅区块具有相对的第一端和第二端；在第二绝缘层上形成第一窗口，露出单晶硅区块对应第一端的局部；基于第一窗口露出的单晶硅区块，形成成核区块；形成贯穿第二绝缘层的第二窗口，露出单晶硅区块对应第二端的局部；基于第二窗口，去除单晶硅区块，形成位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的间隙结构；基于成核区块，在间隙结构内选择性横向外延生长GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 半导体器件 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北九峰山实验室，未经湖北九峰山实验室许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211425086.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防退扭的高速双头扎纱机
- 下一篇：一种基于生成对抗网络的公平增强分类方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
