[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202211419129.7 | 申请日： | 2022-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN116249345A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 金范书;具宝蓝;具滋玟;金成吉;金宗赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在基底与位线之间并直接连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，凹进区域包括与基底形成边界并具有直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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