[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在基底与位线之间并直接连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，凹进区域包括与基底形成边界并具有直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。

本申请要求于2021年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0174084号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及一种具有彼此交叉的多条布线和多个节点垫的半导体存储器装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体元件变得更加高度集成，各个电路图案正变得更加小型化以在同一区域中实现更多的半导体元件。也就是说，随着半导体元件的集成度的提高，半导体元件的组件的设计规则减少。

发明内容

本公开的方面提供了一种能够提高可靠性和性能的半导体存储器装置。

本公开的方面提供了一种制造能够提高可靠性和性能的半导体存储器装置的方法。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在基底与位线之间并直接连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，位线接触件的凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，位线接触件的凹进区域包括与基底形成边界并具有基本上直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。

根据本公开的方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域；字线，在第一方向上与有源区域交叉；位线，与有源区域交叉并在基底上沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及位线接触件，设置在沿第二方向相邻的字线之间并直接连接到位线和有源区域。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，位线接触件的凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，位线接触件的凹进区域包括与基底形成边界并具有基本上直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。

根据本公开的方面，提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定并在第一方向上延伸的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；字线，在基底和器件分离层中沿不同于第一方向的第二方向延伸并在有源区域的第一部分与有源区域的第二部分之间交叉；位线接触件，连接到有源区域的第一区域；节点连接垫，连接到有源区域的第二部分；位线，在位线接触件上，连接到位线接触件并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸；以及电容器，连接到节点连接垫。位线接触件包括嵌入基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，基底包括属于{111}晶面族的边界表面，并且基底的边界表面与位线接触件的凹进区域形成边界。

根据本公开的方面，提供了一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括：提供包括由器件分离层限定的有源区域的基底；在基底和器件分离层中形成在第一方向上延伸的字线，有源区域被字线划分成有源区域的第一部分和有源区域的第二部分；在基底上形成包括位线接触件开口的单元绝缘层，位线接触件开口与有源区域的第一部分叠置；使用单元绝缘层作为掩模在基底中形成第一位线接触件凹槽；蚀刻基底的被第一位线接触件凹槽暴露的部分以形成包括凹进凹槽的第二位线接触件凹槽；形成填充第二位线接触件凹槽的前位线接触件；在前位线接触件和单元绝缘层上形成单元导电层；以及将单元导电层和前位线接触件图案化以形成在不同于第一方向的第二方向上延伸的位线接触件和位线。

附图说明