[发明专利]具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 202211412721.4 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115548125A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;杨玉珍;秦鹏海 | 申请（专利权）人： | 深圳佳恩功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法，涉及SiCMOSFET器件技术领域，包括衬底，所述衬底上方依次设有N‑漂移层、N+漂移层和p+源区层，N‑漂移层、所述N+漂移层和所述p+源区层的内部由内至外依次设有栅极、氧化层、N型块和P型块，所述N+源区层的顶部设有源极金属层，所述衬底下方设有漏极金属层，通过在SiCMOSFET内部形成由N型块和P型块组成的隔离层对氧化层进行阻挡，减少沟道受到的界面粗糙散射的影响，同时还可以在沟道处形成一电子通道，达到提升沟道迁移率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 迁移率 sicmosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳佳恩功率半导体有限公司，未经深圳佳恩功率半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211412721.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种盾构机主驱动系统及盾构机
- 下一篇：一种多灯头易维护LED路灯
- 同类专利
- 专利分类
