[发明专利]具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法

权利要求书

1.具有高沟道迁移率的SiCMOSFET，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上方依次设有N-漂移层、N+漂移层和p+源区层，N-漂移层、所述N+漂移层和所述p+源区层的内部由内至外依次设有栅极、氧化层、N型块和P型块，所述N+源区层的顶部设有源极金属层，所述衬底下方设有漏极金属层。

2.具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，应用如权利要求1所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET，其特征在于：包括以下步骤：

S1，在SiC衬底的顶部依次通过外延工艺生成N-漂移区和N+漂移层；

S2，在所述N-漂移区和所述N+漂移层上蚀刻出一凹槽a，采用外延工艺在该凹槽a的内部生成SiC层，并采用离子注入形成N型块；

S3，在所述N型块上蚀刻出一凹槽b，采用外延工艺在该凹槽b的内部生成SiC层，并采用离子注入形成P型块；

S4，在N+漂移层的上方采用通过外延工艺生成p+源区层；

S5，将p+源区层的上方用于蚀刻工艺，蚀刻出一由所述p+源区层至所述N-漂移层的凹槽c，所述凹槽c依次贯穿所述p+源区层、N型块和N-漂移层；

S6，采用通过低压热壁化学气相沉积法在凹槽c的表面沉积一层氧化层；

S7，在所述氧化层上设置栅极；

S8，在所述N+源区层上设置源极金属层；

S9，采用机械减薄的方式去掉所述衬底，在所述N-漂移层的底部设置漏极金属层。

3.根据权利要求2所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述N-漂移区的厚度为10μm，掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3～2×10¹⁴cm^-3。

4.根据权利要求2所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述N+漂移层的厚度为5μm，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3～2×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求2所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，其特征在于：所述P型块和所述N型块的深度、厚度以及采用的注入能量和注入剂量均完全一致。

6.根据权利要求2所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，所述步骤4中，所述p+源区层的厚度为3μm。

7.根据权利要求2所述的具有高沟道迁移率的SiCMOSFET的制备方法，所述步骤6中，所述氧化层为SiO₂。