[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211382297.3 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115425089A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘晓梅;李博强;周晓阳;朱贤龙 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓丹 |
| 地址： | 511458 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底；衬底上形成有外延层；外延层内具有多个间隔排布的沟槽；各沟槽均沿第一方向延伸；栅极结构，位于各沟槽的底部、各沟槽的侧壁以及外延层之上；栅极结构沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交。从而不需要增大芯片面积即可使栅极结构的栅极宽度增加，从而能够在不改变芯片面积的前提下降低导通电阻，从而能够降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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