[发明专利]基于全HVPE工艺生长的GaN肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211330193.8 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115662885A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;邹苹;马正蓊;熊信柏;陈少军;黄双武;贺威;黎晓华 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/872;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 赵胜宝 |
| 地址： | 518060 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明提供了一种基于全HVPE工艺生长的GaN肖特基二极管及其制备方法，包括：采用HVPE工艺，以液态金属镓作为Ga源，氨气为N源，SiH |
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| 搜索关键词： | 基于 hvpe 工艺 生长 gan 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
