[发明专利]一种金属凸点的制作方法和芯片在审
| 申请号： | 202211283264.3 | 申请日： | 2022-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN115763279A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 简永幸 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 张庆玲 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属凸点的制作方法和芯片。金属凸点的制作方法包括：提供基底；在基底上形成图形化的第一阻挡层；以图形化的第一阻挡层为掩膜在基底上形成第一金属层，以形成金属凸点；在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层；以图形化的第一阻挡层和图形化的第二阻挡层为掩膜在基底上形成第二金属层，以调控金属凸点的高度。通过上述方式，本发明在对金属凸点高度进行补偿的时候能够提高补偿段金属与原始金属凸点的对位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 制作方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门通富微电子有限公司，未经厦门通富微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211283264.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蜂窝芯复合板开孔封边模具及其方法
- 下一篇：一种双层百叶式水窗帘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
