[发明专利]一种金属凸点的制作方法和芯片

说明书

本发明提供了一种金属凸点的制作方法和芯片。金属凸点的制作方法包括：提供基底；在基底上形成图形化的第一阻挡层；以图形化的第一阻挡层为掩膜在基底上形成第一金属层，以形成金属凸点；在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层；以图形化的第一阻挡层和图形化的第二阻挡层为掩膜在基底上形成第二金属层，以调控金属凸点的高度。通过上述方式，本发明在对金属凸点高度进行补偿的时候能够提高补偿段金属与原始金属凸点的对位精度。

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，特别是涉及一种金属凸点的制作方法和芯片。

背景技术

随着科技的发展，电子显示已经广泛应用于人们的日常生活中。显示面板的驱动芯片和线路连接时，通常选用金属凸点作为连接点。

目前，手机屏、小尺寸面板主要使用COG(Chip on Glass，覆晶玻璃)的封装方式，采用ACF(各向异性导电胶)通过热压直接将芯片结合到屏体上，使芯片导电凸点与显示面板上的透明导电焊盘互连封装在一起，从而实现点亮屏幕。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现晶圆在研磨切割后，芯片会有一定翘曲，导致芯片和面板压合不良。为解决压合不良，通常会对部分金属凸点进行高度补偿，但是在进行高度补偿时经常会存在对位不良，导致金属凸点异形。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种金属凸点的制造方法和芯片，能够在对金属凸点高度进行补偿的时候，提高补偿段金属与原始金属凸点的对位精度。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种金属凸点的制作方法，该方法包括提供基底；在基底上形成图形化的第一阻挡层；以图形化的第一阻挡层为掩膜在基底上形成第一金属层，以形成金属凸点；在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层；以图形化的第一阻挡层和图形化的第二阻挡层为掩膜在基底上形成第二金属层，以调控金属凸点的高度。

在一实施方式中，基底包括中心区域和围绕中心区域的外围区域，在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层包括：图形化的第二阻挡层的图形区覆盖中心区域的第一阻挡层的非图形区。

在一实施方式中，中心区域与外围区域的面积比为7:3～9:1。

在一实施方式中，在基底上形成图形化的第一阻挡层包括：在基底上涂覆第一光刻胶；以基底上待形成金属凸点的位置为基准进行对位，对第一光刻胶进行光刻处理，形成图形化的第一阻挡层，以剩余的第一光刻胶为挡墙在基底上形成待电镀的沟槽。

在一实施方式中，在图形化的第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层包括：在图形化的第一阻挡层上涂覆第二光刻胶；以金属凸点调整图形为掩膜，对第二光刻胶进行光刻处理，形成图形化的第二阻挡层，以剩余的第二光刻胶覆盖不需要调控高度的金属凸点。

在一实施方式中，以图形化的第一阻挡层和图形化的第二阻挡层为掩膜在基底上形成第二金属层之后包括：去除第一阻挡层和第二阻挡层。

在一实施方式中，金属凸点的制造方法包括：对基底进行第一电镀处理，以形成第一金属层；对基底进行第二电镀处理，以形成第二金属层。

在一实施方式中，在基底上形成第一阻挡层之前包括：利用溅镀工艺在基底上形成金属化过渡层。

在一实施方式中，基底为硅晶圆；金属凸点的材料为金。

为解决上述问题，本发明采取的另一种技术方案是，提供一种芯片，包括：芯片本体；焊盘，设置于芯片本体表面；金属凸点，设置于焊盘背对芯片本体的一侧，金属凸点利用如上述任一实施方式的方法制成。