[发明专利]一种金属凸点的制作方法和芯片

权利要求书

1.一种金属凸点的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成图形化的第一阻挡层；

以图形化的所述第一阻挡层为掩膜在所述基底上形成第一金属层，以形成金属凸点；

在图形化的所述第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层；

以图形化的所述第一阻挡层和图形化的所述第二阻挡层为掩膜在所述基底上形成第二金属层，以调控所述金属凸点的高度。

2.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述基底包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域，所述在图形化的所述第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层包括：

图形化的所述第二阻挡层的图形区覆盖所述中心区域的所述第一阻挡层的非图形区。

3.根据权利要求2所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，

所述中心区域与所述外围区域的面积比为7:3～9:1。

4.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成图形化的第一阻挡层包括：

在所述基底上涂覆第一光刻胶；

以所述基底上待形成所述金属凸点的位置为基准进行对位，对所述第一光刻胶进行光刻处理，形成图形化的所述第一阻挡层，以剩余的所述第一光刻胶为挡墙在所述基底上形成待电镀的沟槽。

5.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述在图形化的所述第一阻挡层上形成图形化的第二阻挡层包括：

在图形化的所述第一阻挡层上涂覆第二光刻胶；

以金属凸点调整图形为掩膜，对所述第二光刻胶进行光刻处理，形成图形化的所述第二阻挡层，以剩余的所述第二光刻胶覆盖不需要调控高度的金属凸点。

6.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述以图形化的所述第一阻挡层和图形化的所述第二阻挡层为掩膜在所述基底上形成第二金属层之后包括：

去除所述第一阻挡层和第二阻挡层。

7.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

对所述基底进行第一电镀处理，以形成所述第一金属层；

对所述基底进行第二电镀处理，以形成所述第二金属层。

8.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成第一阻挡层之前包括：

利用溅镀工艺在所述基底上形成金属化过渡层。

9.根据权利要求1所述的金属凸点的制作方法，其特征在于，

所述基底为硅晶圆；

所述金属凸点的材料为金。

10.一种芯片，其特征在于，包括：

芯片本体；

焊盘，设置于所述芯片本体表面；

金属凸点，设置于所述焊盘背对所述芯片本体的一侧，所述金属凸点利用如权利要求1-9任一项所述的方法制成。