[发明专利]调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法在审

专利信息
申请号: 202211259815.2 申请日: 2022-10-14
公开(公告)号: CN115572956A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 王瑞瀚;王晓康;许锐;黄杰;张宾 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: C23C16/448 分类号: C23C16/448;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦健
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法,所述方法包括:将第一前驱体及载流气体进行混合以形成混合气体并储存于缓存器内;将所述混合气体以预设速率通入反应腔体内使其吸附于晶圆表面,且在通入过程中利用真空泵以预设功率对所述反应腔体进行抽气以使其腔体压力维持在一定压力值以下;将第二前驱体通入所述反应腔体内使其吸附于所述晶圆表面,并与所述第一前驱体发生反应以生成所需薄膜;将上述步骤循环多次以使所述薄膜达到预定厚度。通过本发明可在不更改机台硬件配置的前提下,灵活的调控原子层沉积薄膜厚度均匀性。
搜索关键词: 调控 原子 化学 沉积 薄膜 厚度 均匀 方法
【主权项】:
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