[发明专利]调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法

权利要求书

1.一种调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1)将第一前驱体及载流气体进行混合以形成混合气体并储存于缓存器内；

步骤2)将所述混合气体以预设流速通入反应腔体内使其吸附于晶圆表面，且在通入过程中利用真空泵以预设功率对所述反应腔体进行抽气以使其腔体压力维持在一定压力以下；

步骤3)将第二前驱体通入所述反应腔体内使其吸附于所述晶圆表面，并与所述第一前驱体发生反应以生成所需薄膜；

将上述步骤循环多次以使所述薄膜达到预定厚度。

2.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述第一前驱体与所述载流气体通入所述缓存器内进行混合时的流量之比为1:1～5:1。

3.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，对储存于所述缓存器内的所述混合气体设定通气时间，使其得到通入所述反应腔体内所需的所述预设流速。

4.根据权利要求3所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，所述混合气体的通气时间为1s～5s，所述预设流速为3L/min～15L/min。

5.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述载流气体包括氮气或其他惰性气体。

6.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，在执行步骤1)之前，所述方法包括：利用冲洗气体对所述反应腔体进行第一次吹扫的步骤。

7.根据权利要求6所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，在执行步骤2)之后及执行步骤3)之前，所述方法包括：利用所述冲洗气体对所述反应腔体进行第二次吹扫的步骤。

8.根据权利要求6或7所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述冲洗气体包括氮气或其他惰性气体。

9.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，在执行步骤3)时，所述方法还包括将所述第二前驱体进行电离的步骤。

10.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述反应腔体内的腔体压力维持在0.006torr以内。

11.根据权利要求1所述的调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述薄膜包括氮化硅薄膜。