[发明专利]包括硅通孔的半导体装置在审
| 申请号： | 202211238710.9 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN115966536A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李全一;李钟旼;崔智旻;李瑌真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨帆;沈照千 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 硅通孔 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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