[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构在审
| 申请号： | 202211206919.7 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115472505A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李春山;邬瑞彬;贾金兰 | 申请（专利权）人： | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底上形成有外延层；于外延层内形成沟槽；于沟槽的底部及沟槽的底部拐角形成第一氧化层；采用氧化工艺于沟槽的侧壁、沟槽的底部及沟槽的底部拐角形成第二氧化层，位于沟槽侧壁的第二氧化层的厚度大于位于沟槽底部及沟槽底部拐角的第二氧化层的厚度；第一氧化层与第二氧化层共同构成屏蔽栅氧化层，位于沟槽侧壁的屏蔽栅氧化层与位于沟槽底部及位于沟槽底部拐角的屏蔽栅氧化层具有相同的厚度。采用本发明的半导体结构的制备方法能够提高形成的SGT MOSFET的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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