[发明专利]外延片、外延片生长工艺及发光二极管有效
| 申请号： | 202211134142.8 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115241336B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;曾家明;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明具体公开一种外延片、外延片生长工艺及发光二极管，该生长工艺包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、n型GaN层、位错阻挡层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层及p型接触层；n型GaN层上形成有V形坑；位错阻挡层为多个周期的In |
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| 搜索关键词： | 外延 生长 工艺 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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