[发明专利]外延片、外延片生长工艺及发光二极管有效
| 申请号： | 202211134142.8 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115241336B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 郑文杰;程龙;高虹;曾家明;刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 陈冬莲 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 工艺 发光二极管 | ||
1.一种外延片的生长工艺，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次外延生长缓冲层、n型GaN层、位错阻挡层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层及p型接触层；
所述n型GaN层上形成有V形坑；
所述位错阻挡层为多个周期的InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构，组分A为Mg或Zn中的任意一种或两种组合；
所述发光层包括沿外延方向依次生长的第一阶梯多量子阱层、第二阶梯多量子阱层及第三阶梯多量子阱层，所述第一阶梯多量子阱层、第二阶梯多量子阱层及第三阶梯多量子阱层的生长气氛为氢气或氮气。
2.根据权利要求1所述的外延片的生长工艺，其特征在于，所述的InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构中，0.01≤a≤0.1，0.01≤b≤0.1，所述InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构的周期为5~10，且所述InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构包括周期性依次交替生长的InaGa1-aN层及AbGa1-bN层，各周期中所述InaGa1-aN层的生长厚度为1~3nm，所述AbGa1-bN层的生长厚度为1~3nm。
3.根据权利要求2所述的外延片的生长工艺，其特征在于，所述的InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构为InaGa1-aN/MgbGa1-bN超晶格结构，所述InaGa1-aN/MgbGa1-bN超晶格结构的生长温度为750~800℃，生长压力为100~200torr，Mg的掺杂浓度为1.0*1020~1.0*1021/cm3。
4.根据权利要求2所述的外延片的生长工艺，其特征在于，所述的InaGa1-aN/AbGa1-bN超晶格结构为InaGa1-aN/ZnbGa1-bN超晶格结构，所述InaGa1-aN/ZnbGa1-bN超晶格结构的生长温度为750℃~900℃，生长压力为600~700torr，Zn掺杂浓度为1.0*1017~5.0*1017/cm3。
5.根据权利要求1所述的外延片的生长工艺，其特征在于，所述第一阶梯多量子阱层由5~10个周期的IncGa1-cN/GaN层组成，生长厚度为3nm~5nm；所述第二阶梯多量子阱层由3~12个周期的IncGa1-cN/GaN层组成，生长厚度为2nm~5nm；所述第三阶梯多量子阱层由2~3个周期的IncGa1-cN/GaN层组成，生长厚度为2nm~3nm，0.1＜c＜0.5。
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