[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 202211112618.8 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115198366B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 青禾晶元（天津）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 300451 天津市滨海新区滨海高新区塘沽海洋*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法，所述生长装置包括由内而外依次嵌套设置的晶体生长单元、加热单元、隔热箱和腔室；所述加热单元对晶体生长单元的顶部、外周和底部进行加热；所述晶体生长单元的底部设置有旋转驱动组件。所述生长方法包括控制加热单元的功率以达到下述条件：（1）晶体生长单元内部空间的径向温度梯度小于第一设定值；（2）晶体生长单元内部未充满碳化硅粉料空间的生长轴向温度梯度等于第二设定值；（3）晶体生长单元内部已充满碳化硅粉料空间的粉料轴向温度梯度等于第三设定值。本发明通过改进生长装置的结构及生长条件，精确调控了晶体生长的温度场，提高了大尺寸碳化硅晶体生长的质量、效率和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 碳化硅 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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