[发明专利]一种IGBT晶圆加工工艺在审
| 申请号： | 202211106038.8 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116387153A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/18;H01L21/265;H01L21/304;H01L21/324;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 郭苗苗 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT晶圆加工工艺，属于半导体领域。包括以下步骤：在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积ILD层；将做好ILD层的晶圆正面贴合第一载板，在第一载板与所述的晶圆的衔接处涂布第一封堵层，使得晶圆与第一载板固定，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；在晶圆的背面贴合第二载板，断开第一封堵，移除第一载板，并涂布第二封堵，使得所述的第二载板与晶圆固定；蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜Al，在接触孔中填充，形成IGBT的Emittor结构；在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及PAD键合区；断开第二封堵，解除第二载板与晶圆的固定，完成IGBT晶圆加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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