[发明专利]一种IGBT晶圆加工工艺

说明书

本发明公开了一种IGBT晶圆加工工艺，属于半导体领域。包括以下步骤：在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积ILD层；将做好ILD层的晶圆正面贴合第一载板，在第一载板与所述的晶圆的衔接处涂布第一封堵层，使得晶圆与第一载板固定，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；在晶圆的背面贴合第二载板，断开第一封堵，移除第一载板，并涂布第二封堵，使得所述的第二载板与晶圆固定；蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜Al，在接触孔中填充，形成IGBT的Emittor结构；在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及PAD键合区；断开第二封堵，解除第二载板与晶圆的固定，完成IGBT晶圆加工。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种IGBT晶圆加工工艺。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管(Bipolar)基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集Bipolar器件通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身，被广泛应用到交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。现有的IGBT工艺中，晶圆的承载结构并不能适用离子活化等高温环境下的承载，导致工艺步骤的繁琐。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出了一种IGBT晶圆加工工艺。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种IGBT晶圆加工工艺，包括以下步骤：

S1、在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面沉积ILD层；

S2、将做好ILD层的晶圆正面贴合第一载板，在第一载板与所述的晶圆的衔接处涂布第一封堵层，使得晶圆与第一载板固定；

S3、翻转第一载板完成晶圆背面减薄，然后在晶圆背面植入离子，并通过高温回火使植入的离子活化；

S4、在回火处理后的晶圆背面制作反面金属镀膜；

S5、在晶圆的背面贴合第二载板，断开第一封堵，整体翻转第二载板与晶圆，移除第一载板，并涂布第二封堵，使得所述的第二载板与晶圆固定；

其中第二载板上开设有若干通孔，通过吸盘负压吸附固定所述的晶圆，然后执行第一载板、第二载板与晶圆的整体翻转；

S6、蚀刻ILD层形成缓坡状接触孔，并通过溅镀厚膜Al，在接触孔中完整的填充，形成IGBT的Emittor结构；

S7、在晶圆正面进行金属镀膜、黄光及蚀刻，形成正面金属图形及PAD键合区；

S8、断开第二封堵，解除第二载板与晶圆的固定，完成IGBT晶圆加工。

本发明的有益效果：

本发明通过永久键合硅基载板克服了传统工艺暂时键合玻璃板后高温回火温度的限制，以及激光局部离子激活不能对深层离子进行激活的缺陷，可以进行超薄的IGBT晶圆加工，降低了IGBT晶圆的加工成本。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明工艺步骤S1的成型示意图；

图2是本发明工艺步骤S2的成型示意图；

图3是本发明工艺步骤S3的成型示意图；

图4是本发明工艺步骤S4的成型示意图；