[发明专利]一种电容器及芯片在审
| 申请号： | 202211095779.0 | 申请日： | 2022-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN115881701A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李志豪;颜志豪;王建;张泽飞;张俊 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海君立衡知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31389 | 代理人： | 孙媛 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种电容器及芯片，涉及芯片设计领域。其中，电容器包括：衬底、阱区、第一有源区、第二有源区、多晶硅以及电容器本体。衬底掺杂有第一类型的离子，阱区形成于衬底的表面，并从衬底的表面延伸至衬底的内部。阱区掺杂有第二类型的离子，第一类型的离子与第二类型的离子的极性相反。第一有源区和第二有源区注入于阱区部分区域，多晶硅淀积于相邻两个第二有源区之间。电容器本体设置于第一有源区的上方区域。将此电容器应用于芯片，可以提高芯片中设置电容器区域的有源区和多晶硅的密度，进而提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 芯片 | ||
【主权项】：
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