[发明专利]一种电容器及芯片

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：衬底、阱区、第一有源区、第二有源区、多晶硅以及电容器本体，其中；

所述衬底掺杂有第一类型的离子；

所述阱区形成于所述衬底的表面，并从所述衬底的表面延伸至所述衬底的内部；所述阱区掺杂有第二类型的离子；所述第一类型的离子与所述第二类型的离子的极性相反；

所述第一有源区和所述第二有源区注入于所述阱区部分区域；

所述多晶硅淀积于相邻两个所述第二有源区之间；

所述电容器本体设置于所述第一有源区的上方区域。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器本体包括：第一极板，第二极板以及顶层金属；

所述第二极板设置于所述第一极板和所述顶层金属之间，且所述顶层金属与所述第二极板电连接。

3.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，还包括：

隔离结构，所述隔离结构为中空结构，所述电容器本体容纳于所述隔离结构内。

4.根据权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述隔离结构包括第一金属层，所述第二有源区通过第一接触孔与所述第一金属层连接，所述多晶硅通过第二接触孔与所述第一金属层连接。

5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一有源区的面积和所述第二有源区的面积之和与所述多晶硅的面积相等。

6.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多晶硅的下方形成有浅槽隔离区。

7.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述隔离结构还包括第二金属层，所述隔离结构中的第一金属层通过第一通孔与所述第二金属层连接；

所述第一金属层与所述第一极板基于同一掩膜版形成；

所述第二金属层与所述顶层金属基于同一掩膜版形成。

8.根据权利要求4所述的电容器，其特征在于，所述隔离结构还包括第二金属层、第三金属层，所述隔离结构中的第一金属层通过第一通孔与所述第二金属层连接，所述第二金属层通过第二通孔与所述第三金属层连接；

所述第二金属层与所述第一极板基于同一掩膜版形成；

所述第三金属层与所述顶层金属基于同一掩膜版形成。

9.根据权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述隔离结构还包括第四金属层，所述第三金属层通过第三通孔与所述第四金属层连接；

所述第四金属层高于所述顶层金属。

10.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述第三金属层在所述衬底所在平面的投影区域位于所述第四金属层在所述衬底所在平面的投影区域内，且所述第四金属层在所述衬底所在平面的投影区域的面积大于所述第三金属层在所述衬底所在平面的投影区域的面积。

11.根据权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述第四金属层在所述衬底所在平面的投影和所述电容器本体在所述衬底所在平面的投影无重合区域。

12.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型。

13.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一类型为N型，所第二类型为P型。

14.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1～13中任一项所述的电容器。