[发明专利]一种电容器及芯片

说明书

本申请实施例提供了一种电容器及芯片，涉及芯片设计领域。其中，电容器包括：衬底、阱区、第一有源区、第二有源区、多晶硅以及电容器本体。衬底掺杂有第一类型的离子，阱区形成于衬底的表面，并从衬底的表面延伸至衬底的内部。阱区掺杂有第二类型的离子，第一类型的离子与第二类型的离子的极性相反。第一有源区和第二有源区注入于阱区部分区域，多晶硅淀积于相邻两个第二有源区之间。电容器本体设置于第一有源区的上方区域。将此电容器应用于芯片，可以提高芯片中设置电容器区域的有源区和多晶硅的密度，进而提高芯片的可靠性。

技术领域

本申请实施例涉及芯片设计领域，具体涉及一种电容器及芯片。

背景技术

在半导体制造中，由于MIM电容器可以提供较好的频率以及温度相关特性，降低与CMOS前端工艺整合的困难度及复杂度，因而被广泛用于各种集成电路中。

现有技术中，MIM电容器主要包括顶层金属、第一极板和第二极板。其中，第二极板设置于第一极板和顶层金属之间，第二极板还通过通孔与顶层金属连接。

然而，这种MIM电容器应用于芯片中，会影响芯片的可靠性。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种电容器及芯片，克服了或者至少部分地解决了上述MIM电容器应用于芯片中，影响芯片的可靠性的问题。

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种电容器，包括：衬底、阱区、第一有源区、第二有源区、多晶硅以及电容器本体。其中，衬底掺杂有第一类型的离子，阱区形成于衬底的表面，并从衬底的表面延伸至衬底的内部。阱区掺杂有第二类型的离子，第一类型的离子与第二类型的离子的极性相反。第一有源区和第二有源区注入于阱区部分区域，多晶硅淀积于相邻两个第二有源区之间，电容器本体设置于第一有源区的上方区域。

在本申请实施例中，电容器包括：衬底、阱区、第一有源区、第二有源区、多晶硅以及电容器本体。将此电容器应用于芯片，可以提高芯片中设置电容器区域的有源区的密度和多晶硅的密度，进而提高芯片的可靠性。而且，本实施例提供的电容器本体设置于第一有源区的上方，第一有源区注入于阱区部分区域，这样，使得第一极板和第一有源区之间的距离较远，可以减小第一极板和下方的填充结构之间产生的寄生电容。

在一种可选的方式中，电容器本体包括：第一极板，第二极板以及顶层金属。第二极板设置于第一极板和顶层金属之间，且顶层金属与第二极板电连接。

在一种可选的方式中，电容器还包括：隔离结构，隔离结构为中空结构，电容器本体容纳于隔离结构内。

本实施例中，通过设置隔离结构可以提高电容器的刻蚀精度，可以减小电容器周围器件和电容器本体之间产生的不必要的寄生电容。

在一种可选的方式中，隔离结构包括第一金属层。第二有源区通过第一接触孔与第一金属层连接，多晶硅通过第二接触孔与第一金属层连接。

通过第一接触孔和第二接触孔，可以将有源区和多晶硅都通过第一金属层连接到一起，起到降低阱电阻的作用。

在一种可选的方式中，第一有源区的面积和第二有源区的面积之和与多晶硅的面积相等。

这样，将此电容器用于芯片中，可以使芯片中电容器所在区域的多晶硅的面积和有源区的面积相等，能够使芯片中的多晶硅和有源区的比例更均衡，从而提高芯片的性能。

在一种可选的方式中，多晶硅的下方形成有浅槽隔离区。

在一种可选的方式中，隔离结构还包括第二金属层，隔离结构中的第一金属层通过第一通孔与第二金属层连接。第一金属层与第一极板基于同一掩膜版形成，第二金属层与顶层金属基于同一掩膜版形成。