[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211083829.3 | 申请日： | 2022-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN116507193A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 柳时正;金泰勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器件及制造半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括：多个绝缘层，其在堆叠方向上彼此间隔开；狭缝绝缘层，其穿过多个绝缘层；多个第一可变电阻层，其在堆叠方向上与多个绝缘层交替地设置；多条导线，其插置在狭缝绝缘层与多个第一可变电阻层之间，并且在堆叠方向上与多个绝缘层交替地设置；导电柱，穿过多个绝缘层和多个第一可变电阻层；以及第二可变电阻层，围绕导电柱的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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