[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括:

多个绝缘层，其在堆叠方向上彼此间隔开；

狭缝绝缘层，其穿过所述多个绝缘层；

多个第一可变电阻层，其在所述堆叠方向上与所述多个绝缘层交替地设置；

多条导线，其插置在所述狭缝绝缘层与所述多个第一可变电阻层之间，并且在所述堆叠方向上与所述多个绝缘层交替地设置；

导电柱，其穿过所述多个绝缘层和所述多个第一可变电阻层；以及

第二可变电阻层，其围绕所述导电柱的侧壁，

其中，所述多个第一可变电阻层和所述第二可变电阻层包括：阈值电压根据编程脉冲的极性而变化的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层中的每一个包括面对所述导电柱的第一刻蚀表面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层包括：硫族化物材料，所述硫族化物材料具有与所述第二可变电阻层的硫族化物材料实质相同的成分。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻层包括：构成所述多个第一可变电阻层中的每一个第一可变电阻层的一种或多种元素。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层中的每一个和所述第二可变电阻层包括锗Ge和硒Se。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述第二可变电阻层包括的材料的锗Ge和硒Se中至少一种的含量高于所述多个第一可变电阻层中的每一个第一可变电阻层中的材料的锗Ge和硒Se中至少一种的含量。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：多个第三可变电阻层，所述多个第三可变电阻层在所述堆叠方向上与所述多个绝缘层交替地设置，并且插置在所述多个第一可变电阻层与所述多条导线之间。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层中的每一个包括：面对所述多条导线之中的对应的导线的第二刻蚀表面。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述多个第三可变电阻层包括：其阈值电压根据所述编程脉冲的极性而变化的材料。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层包括：硫族化物材料，所述硫族化物材料具有与所述多个第三可变电阻层的硫族化物材料实质相同的成分。

11.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述多个第三可变电阻层中的每一个包括：构成所述多个第一可变电阻层中的每一个第一可变电阻层的一种或多种元素。

12.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述多个第一可变电阻层中的每一个和所述多个第三可变电阻层中的每一个均包括锗Ge和硒Se。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器件，其中，所述多个第三可变电阻层中的每一个包括的材料的锗Ge和硒Se中至少一种的含量高于所述多个第一可变电阻层中的每一个第一可变电阻层中的材料的锗Ge和硒Se中至少一种的含量。

14.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括:

形成堆叠的结构，所述堆叠的结构包括彼此交替地堆叠的多个绝缘层和多个第一可变电阻层；

形成穿过所述堆叠的结构的孔；

在所述孔的侧壁上形成第二可变电阻层；

在所述孔的由所述第二可变电阻层暴露的区域中形成导电柱；

形成穿过所述堆叠的结构的狭缝；

通过刻蚀所述多个第一可变电阻层中的每一个的部分而形成多个开口，所述部分临近所述狭缝；以及

在所述多个开口中分别形成多条导线。