[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211069138.8 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN116013955A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 卢志竤;林光鸿;蔡博安;陈欣峰 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括多个主动鳍、阻障层以及多个栅极结构。主动鳍设置在基底上且在第一方向上彼此间隔开来。主动鳍中的每一者包括源极区域、漏极区域以及连接源极区域和漏极区域的沟道区域。沟道区域在不同于第一方向的第二方向上延伸。阻障层设置在主动鳍的顶面和侧壁上。栅极结构各自设置在每个主动鳍的沟道区域的顶面和侧壁上方，且阻障层夹设于栅极结构和主动鳍之间。栅极结构中的每一者包括在阻障层上的叠层以及在叠层上的金属层。金属层包括在第二方向延伸的延伸部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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