[发明专利]聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法有效
| 申请号： | 202211068622.9 | 申请日： | 2022-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN115132591B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法，聚酰亚胺过孔的制备方法包括：S1：提供表面附有金属焊盘的基板；S2：于基板上形成聚酰亚胺层；S3：于聚酰亚胺层上形成金属层；S4：于金属层上形成预设层，并于预设层上形成第一预过孔；S5：刻蚀金属层形成第二预过孔；S6：刻蚀聚酰亚胺层形成第三预过孔；S7：去除聚酰亚胺层之上的所有结构，以于聚酰亚胺层上形成聚酰亚胺过孔。本发明避免了小尺寸聚酰亚胺过孔底部存在残留物的问题，使得聚酰亚胺过孔上下轮廓基本一致，制备工艺精细化，从而提高了产品的良率；本发明在晶圆级半导体封装中，较小的聚酰亚胺过孔可以使产品设计更加复杂和细致，大大提高了芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 晶圆级 半导体 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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