[发明专利]一种半导体衬底的制作方法在审
| 申请号： | 202211061758.7 | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115302100A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 张佳浩;周光权;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底的制作方法，首先对半导体衬底进行两次激光切割，第一次激光切割在半导体衬底中得到引导层，引导层中包括多个间隔排布的第一孔洞，第二次激光切割在引导层的深度处得到多个第二孔洞，第二孔洞的尺寸小于第一孔洞，且多个第二孔洞与多个第一孔洞形成连续结构以形成剥离层，再通过甩胶、降温处理，最后基于剥离层对衬底进行剥片。本发明采用非物理接触激光切割技术，产生的应力较小；且激光切割分两步进行，由于大幅度降低了剥离层的大尺寸孔洞的数量，因此避免了半导体衬底破裂报废的问题；另外，本发明在衬底的制作过程中产生的损伤层较薄，从而能够减少抛光时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制作方法 | ||
【主权项】：
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