[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本申请实施例公开了一种三维存储器及其制作方法，该制作方法先在衬底和堆叠结构之间形成第一牺牲层，然后在所述堆叠结构形成通道结构和栅线缝隙等结构后，去除所述第一牺牲层，并填充外延结构，使得外延结构形成在所述第一牺牲层所在的区域，即不再将所述外延结构形成在通道孔的底部，而是将外延结构形成在衬底表面以及通道结构中第一导电层朝向所述存储层一侧的部分侧壁区域，从而在保证所述外延结构与所述通道结构中的第一导电层电连接的基础上，降低所述外延结构的工艺难度，提高所述外延结构的一致性。