[发明专利]一种二维氮化镓材料及其制备方法在审
| 申请号: | 202211047669.7 | 申请日: | 2022-08-30 |
| 公开(公告)号: | CN115449776A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 王文樑;江弘胜;李国强 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
| 主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/56 |
| 代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 戴晓琴 |
| 地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种二维氮化镓材料及其制备方法,所述方法包括:以硒化镓粉末为前驱体,采用化学气相沉积法制备二维硒化镓;在氮源中对制备的二维硒化镓进行高温氮化处理,得到二维氮化镓材料。本发明提供的制备方法十分便捷,该方法仅包含模板的制备和高温氮化两个步骤,且这两个步骤均可在管式炉中完成;该方法通过改变气压、生长时间等参数调控二维硒化镓模板的尺寸和厚度,进而实现了二维氮化镓材料的可控制备。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 二维 氮化 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





