[发明专利]提高叠层电容区浮栅厚度的方法在审
| 申请号： | 202211044941.6 | 申请日： | 2022-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN115332262A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 黄铭祺;贾红丹;王虎;顾林;杜怡行 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11548 | 分类号： | H01L27/11548;H01L27/11526;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高叠层电容区浮栅厚度的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括元胞区及外围区，所述元胞区及所述外围区均具有浅沟槽隔离结构，且所述外围区相邻浅沟槽隔离结构之间的区域为叠层电容区；于所述半导体结构的表面形成多晶硅层；于所述多晶硅层表面形成氧化硅薄膜；去除形成于所述元胞区的所述氧化硅薄膜；通过化学机械抛光工艺进行抛光以将所述元胞区及所述外围区的多晶硅层平坦化。通过本发明解决以现有化学机械抛光方法导致元胞区及外围区存在缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电容 区浮栅 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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