[发明专利]半导体发光材料芯片及其制备方法在审
申请号: | 202211025657.4 | 申请日: | 2022-08-25 |
公开(公告)号: | CN115347094A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 杜向鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳微纳光晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州市合本知识产权代理事务所(普通合伙) 44421 | 代理人: | 梁华行 |
地址: | 518112 广东省深圳市龙岗区南湾街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体发光材料芯片,所述芯片微观结构及制备工艺完全不同于现有芯片技术,所述芯片为在有机或无机基材之上涂覆有厚度为0.1mm左右的薄膜,所述薄膜由微纳光晶体与辅料混合物以(3~7):7的比例合成,所述辅料混合物是由光学级透明胶水、气相二氧化硅和二氧化钛按照200:10:1的比例合成。所述芯片既具备现有纳米发光材料芯片光谱纯净可调,又具备现有微米发光材料芯片高可靠性的优点,但其制备及使用成本相对较低,具有广阔的开发和推广空间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 材料 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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