[发明专利]半导体发光材料芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光材料芯片，其特征在于，所述芯片为在有机或无机基材之上涂覆有厚度为0.1mm左右的发光材料薄膜，所述薄膜由微纳光晶体与辅料混合物以(3～7):7的比例合成，所述辅料混合物是由光学级透明胶水、气相二氧化硅和二氧化钛按照200：10：1的比例合成。

2.如权利要求1所述的半导体发光材料芯片，其特征在于，所述基材为玻璃，其厚度为0.03～0.1mm。

3.如权利要求1所述的半导体发光材料芯片，其特征在于，所述微纳光晶体是通过物理和化学方法把纳米发光材料颗粒镶嵌在隔水氧且透明的粒径范围处于0.1微米～15微米保护球体中而形成的一种半导体发光材料。

4.如权利要求3所述的半导体发光材料芯片，其特征在于，所述保护球体是由聚乙烯醇、抗氧剂、光稳定剂、己内酰胺及气相二氧化硅等有机和无机化合物按如下比例生成，聚乙烯醇：抗氧剂：光稳定剂：己内酰胺：气相二氧化硅＝1000:11:2:200:1。

5.如权利要求4所述的半导体发光材料芯片，其特征在于，所述抗氧剂包括二甲苯基二丁基苯并呋喃酮(分子式-C24H30O2)、三亚磷酸酯(分子式-C42H63O3P)、四季戊四醇酯(分子式-C73H108O12)、1,3,5-三甲基-2,4,6-苯(分子式-C54H78O3)，各所述抗氧剂以如下比例进行配置，二甲苯基二丁基苯并呋喃酮(分子式-C24H30O2):三亚磷酸酯(分子式-C42H63O3P):四季戊四醇酯(分子式-C73H108O12):1,3,5-三甲基-2,4,6-苯(分子式-C54H78O3)＝5:3:2:1。

6.如权利要求4所述的半导体发光材料芯片，其特征在于，所述光稳定剂为丁二酸与4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶醇的聚合物(分子式-C15n+1H25n+4O4n+1n)。

7.如权利要求1-6任一项所述的半导体发光材料芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤一：A1混合物制备，将气相二氧化硅与二氧化钛按照10:1的比例通过混胶机在1500转/分钟的工况下混合3～5分钟；

步骤二：B1混合物制备，将光学级透明胶水与所述A1混合物按照20:1的比例通过混胶机在2000转/分钟的工况下混合3～5分钟；

步骤三：C1混合物制备，将所述微纳光晶体与所述B1混合物按照(3～7):7的比例通过混胶机在以下各参数的工况下进行分阶段混合：

a)1500转/分钟混合3～5分钟；

b)2000转/分钟混合3～5分钟；

c)1500转/分钟混合3～5分钟；

d)2500转/分钟混合3～5分钟；

步骤四：D1膜片制作，将所述C1混合物涂敷到透明无机或有机光学基材上，厚度控制在0.1mm左右；

步骤五：将所述D1膜片进行烘干，得到E1膜片；

步骤六：F1微纳光晶体芯片制作，步骤如下：

a)通过覆膜机把所述E1膜片敷在蓝膜或UV膜上；

b)通过切割机切割成所需尺寸的芯片；

c)通过第二次覆膜转移，制备成成品---微纳光晶体芯片。

8.如权利要求7所述的半导体发光材料芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤五是在UV固化胶水体系下进行烘干的：

a)把UV固化装置设定在2000mj/平方厘米的固化能量工况，通过连续传送装置把所述D1膜片暴露在UV下，通过调整传送速度和UV固化强度，达到设定的UV能量，确保固化完全且不对膜片造成损坏；

b)在所述a)基础上涂敷UV透明阻隔胶水，厚度在0.02～0.05mm，固化。