[发明专利]MOS器件的测试系统及测试方法在审
| 申请号： | 202211013531.5 | 申请日： | 2022-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN115332228A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 季祥海;曹成伟;刘林林;郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件的测试系统及测试方法。该测试系统中，多栅测试结构包括第一注入阱和位于第一注入阱上方的多个主栅极，每个主栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第一源漏接触孔，辅助测试结构包括第二注入阱和位于第二注入阱上方的多个辅助栅极，每个辅助栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第二源漏接触孔，辅助栅极与主栅极一一对应，且相对应的辅助栅极和主栅极两侧形成的源漏接触孔的数量不同。利用该测试系统能够提取出栅极到源漏接触孔的寄生电容与源漏接触孔数量的关系，且测试系统的结构简单，有利于节省版图面积。该测试方法利用上述的测试系统测试MOS器件栅极到源漏接触孔的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 测试 系统 方法 | ||
【主权项】：
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