[发明专利]MOS器件的测试系统及测试方法

权利要求书

1.一种MOS器件的测试系统，用于测试MOS器件中栅极到源漏接触孔的寄生电容，所述MOS器件包括第二导电类型的注入阱，其特征在于，所述测试系统包括多栅测试结构和辅助测试结构；

所述多栅测试结构包括位于基底中的第一注入阱，所述第一注入阱为第一导电类型注入阱，第一导电类型与第二导电类型相反，所述第一注入阱上方形成有间隔分布的多个主栅极，每个所述主栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第一源漏接触孔；

所述辅助测试结构包括位于基底中的第二注入阱，所述第二注入阱为第一导电类型注入阱，所述第二注入阱上方形成有间隔分布的多个辅助栅极，每个所述辅助栅极两侧的基底上方形成有设定数量的第二源漏接触孔；一个所述辅助栅极对应一个所述主栅极，每个所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔的数量与对应的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔的数量不同。

2.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，部分数量的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔数量与其余的所述主栅极两侧的第一源漏接触孔数量不同，和/或，部分数量的所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔数量与其余的所述辅助栅极两侧的第二源漏接触孔数量不同。

3.如权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述主栅极两侧的基底中均形成有第一源漏掺杂区，所述第一源漏掺杂区位于所述第一注入阱的顶部，所述第一源漏接触孔位于所述第一源漏掺杂区的基底上方；所述辅助栅极两侧的基底中均形成有第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区位于所述第二注入阱的顶部，所述第二源漏接触孔位于所述第二源漏掺杂区的基底上方；所述第一源漏掺杂区和所述第二源漏掺杂区均为第一导电类型。

4.如权利要求3所述的测试系统，其特征在于，所述多个主栅极沿相同的方向伸长，相邻两个所述主栅极之间的基底中的第一源漏掺杂区作为共用源漏掺杂区；所述多个辅助栅极沿相同的方向伸长，相邻两个所述辅助栅极之间的基底中的第二源漏掺杂区作为共用源漏掺杂区。

5.一种MOS器件的测试方法，用于测试MOS器件中栅极到源漏接触孔的寄生电容，所述MOS器件包括第二导电类型的注入阱，其特征在于，所述测试方法包括：

提供如权利要求1至4任一项所述的测试系统，所述测试系统包括多栅测试结构和辅助测试结构；

将所述多栅测试结构中的多个主栅极进行组合形成多个主栅极组合，分别对多个所述主栅极组合进行主栅极到第一源漏接触孔的电容测试获得多个第一电容；

将所述辅助测试结构中的多个辅助栅极进行组合形成多个辅助栅极组合，分别对多个所述辅助栅极组合进行辅助栅极到第二源漏接触孔的电容测试获得多个第二电容；一个所述辅助栅极组合对应一个所述主栅极组合，一个所述第二电容对应一个所述第一电容；

将每个所述第一电容与对应的所述第二电容相减，获得多个寄生电容，每个所述寄生电容对应一个源漏接触孔数量；以及

对多个所述寄生电容和对应的源漏接触孔数量进行拟合，获得栅极到源漏接触孔的寄生电容与源漏接触孔数量的关系。

6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，对于相对应的主栅极组合和辅助栅极组合，所述主栅极组合对应的第一源漏接触孔的数量为A，所述辅助栅极组合对应的第二源漏接触孔的数量为B，所述主栅极组合和所述辅助栅极组合对应的寄生电容对应的源漏接触孔数量为A减B的数值。

7.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，每个所述主栅极两侧的基底中均形成有第一源漏掺杂区，所述多个主栅极沿相同的方向伸长，相邻两个所述主栅极之间的基底中的第一源漏掺杂区为共用源漏掺杂区；每个所述辅助栅极两侧的基底中均形成有第二源漏掺杂区，所述多个辅助栅极沿相同的方向伸长，相邻两个所述辅助栅极之间的基底中的第二源漏掺杂区为共用源漏掺杂区。