[发明专利]三维存储器及其制作方法以及存储系统在审
| 申请号： | 202210993856.8 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115440672A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 何亚东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 邵磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法以及存储系统，所述方法包括：在第一半导体层上形成堆叠结构；形成贯穿堆叠结构的沟道结构；沟道结构包括芯部，围绕芯部的第一沟道层以及功能层；对芯部远离第一半导体层的一端进行蚀刻，以形成第一开孔；填充第一开孔以形成牺牲部；形成覆盖堆叠结构以及牺牲部的绝缘层和选择栅；形成贯穿选择栅以及绝缘层的第二开孔；第二开孔的底部显露牺牲部；形成覆盖第二开孔侧壁的第一介电层；通过包括第一介电层的第二开孔去除牺牲部以形成第三开孔；第三开孔包括第二开孔；填充第三开孔以形成导电插塞；导电插塞包括贯穿选择栅以及绝缘层的第二沟道层，第二沟道层与第一沟道层耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 制作方法 以及 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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