[发明专利]集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210969794.7 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115602684A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 谢勇 | 申请（专利权）人： | 东科半导体（安徽）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/552;H10N39/00;H01L21/82;H03H9/54;H03H3/02 |
| 代理公司： | 南京九致知识产权代理事务所(普通合伙) 32307 | 代理人： | 严巧巧 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种集成结构极其制备方法，所述集成结构，包括：一衬底；一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；其中，所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。通过上述结构，节约了版图面积，提高了射频功放模块集成度和功率密度，改善了功放模块高频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
