[发明专利]集成结构及其制备方法

权利要求书

1.集成结构，其特征在于：包括：

一衬底；

一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；

一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；

一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；

其中，

所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；

所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述声波滤波器至少包括：

一凹槽，位于所述第二介质层的上表面；

一下电极，位于所述凹槽之上；

一压电层，位于所述下电极之上；

一上电极，位于所述压电层之上；

其中，

所述下电极至少部分延伸至所述凹槽上沿外部的所述第二介质层的上表面；

或

还包括一支架，所述支架位于所述第二介质层的上表面且所述支架具有一支撑面与所述凹槽对应，所述下电极位于所述支架的支撑面之上。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于：所述互连结构包括：

第一介质层，位于所述放大器结构一侧；

第二介质层，位于所述声波滤波器一侧；

其中，所述电磁屏蔽结构位于所述第一介质层和所述第二介质层之间。

4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于：所述第二介质层的上表面设置有电极，且所述第二介质层的上表面的电极与所述放大器结构上的电极对应连接。

5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于：所述互连结构包括：

至少一通道，贯穿所述第一介质层、所述电磁屏蔽结构以及所述第二介质层；

所述通道外围设置有至少两条电磁屏蔽线，所述电磁屏蔽线接地；

所述通道内设置有互连线，所述互连线具有第一端头和第二端头；

其中，

所述第一端头位于所述通道上靠近所述放大器结构上的电极一侧且与所述放大器结构上的电极互连；

所述第二端头位于所述通道上靠近所述第二介质层上表面一侧且与所述第二介质层的上表面的电极互连。

6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于：所述通道数量与所述放大器结构上的电极的数量对应，且通道之间互不相通。

7.根据权利要求4所述的结构，其特征在于：所述放大器结构上的电极中的源极和栅极设置于所述第二介质层的第一侧，所述声波滤波器设置于所述第二介质层的第二侧；

所述第二介质层的上表面的电极中与所述放大器结构上的电极中的漏极或栅极对应的电极，与所述声波滤波器中的下电极合二为一；

所述放大器结构上的电极中的漏极或栅极对应的通道内的互连线，一端连接所述放大器结构上的电极中的漏极或栅极，另一端连接所述声波滤波器中的下电极。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的结构，其特征在于：所述放大器结构为一场效应管、一高电子迁移率电子管或一伪形态电子迁移晶体管中的一种。

9.集成结构的制备方法，其特征在于：包括：

形成一放大器上层结构于衬底之上以形成一放大器结构；

形成一互连结构于所述放大器上层结构之上；

形成一声波滤波器上层结构于所述互连结构之上以形成一声波滤波器；

其中，

将所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；在所述互连结构内设置电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。