[发明专利]集成结构及其制备方法

说明书

本申请公开了一种集成结构极其制备方法，所述集成结构，包括：一衬底；一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；其中，所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。通过上述结构，节约了版图面积，提高了射频功放模块集成度和功率密度，改善了功放模块高频性能。

技术领域

本申请涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种集成结构及其制备方法。

背景技术

在近年来随着5G通讯、物联网技术的兴起，射频前端半导体芯片作为无线通信的核心受到了广泛关注，并大量应用于卫星通讯、移动设备等领域。射频前端模块中，为抑制噪声信号对有用信号的干扰，需要在射频前端的接收通道和发射通道上配置滤波器。

5G时代以来，通信系统小型化、高频化的要求不断提高。目前，射频前端模块中的声学滤波器和放大器仍作为分立器件焊接在电路板上。这种分立封装形式中，器件之间间隔很大，焊盘和布线也占据了相当的面积，导致模块体积大、功率密度低；同时，焊接互联线引入的寄生参数极大程度地恶化了射频前端模块性能，限制了其高频应用。

发明内容

本申请实施例提供一种集成结构及其制备方法，以至少解决现有的声学滤波器和放大器单独焊接所带来的占空间大以及焊接互联线导致的性能差的问题。

根据本申请的一个方面，提供一种集成结构，包括：

一衬底；

一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；

一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；

一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；

其中，

所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；

所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。

进一步的，所述声波滤波器至少包括：

一凹槽，位于所述第二介质层的上表面；

一下电极，位于所述凹槽之上；

一压电层，位于所述下电极之上；

一上电极，位于所述压电层之上；

其中，

所述下电极至少部分延伸至所述凹槽上沿外部的所述第二介质层的上表面；

或

还包括一支架，所述支架位于所述第二介质层的上表面且所述支架具有一支撑面与所述凹槽对应，所述下电极位于所述支架的支撑面之上。

进一步的，所述互连结构包括：

第一介质层，位于所述放大器结构一侧；

第二介质层，位于所述声波滤波器一侧；

其中，所述电磁屏蔽结构位于所述第一介质层和所述第二介质层之间。

进一步的，所述第二介质层的上表面设置有电极，且所述第二介质层的上表面的电极与所述放大器结构上的电极对应连接。

进一步的，所述互连结构包括：