[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210969104.8 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115332251A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构中，基底；位于基底上，且沿第一方向延伸的电容结构，第一方向平行于基底；其中，电容结构包括下电极层、电容介电层以及上电极层，电容介电层保形覆盖下电极层沿第一方向上延伸的至少部分侧壁，上电极层覆盖电容介电层远离下电极层的表面，且下电极层具有台阶形貌，沿第一方向上，至少部分区域的下电极层在垂直于第一方向上的横截面积依次减小。本公开实施例至少有利于在提高半导体结构的集成密度的同时，提高电容结构的电容量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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