[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202210941307.6 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115020212B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王梦慧;李庆民;陈信全;杨宗凯 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体器件制作领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述衬底内形成漂移区和阱区，且所述漂移区环绕所述浅沟槽隔离结构，所述阱区位于所述漂移区一侧；刻蚀所述浅沟槽隔离结构，形成第一分部；刻蚀所述垫氧化层，形成第二分部，且所述第一分部和所述第二分部接触，所述第二分部低于所述第一分部；在所述第一分部和所述第二分部上形成栅极结构；在所述阱区内形成源区；以及在所述漂移区内形成漏区。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，可获得高质量半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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